瞬态响应测试是一项动态的性能测试，为被测电源在2种预定负载条件下，周期性切换，输出保持稳定的能力。
对于负载电流的跃变，CV电源将有振铃电压输出，它使电源回馈环失调，形成电压过冲及跌落，进而影响设备运行的可靠性，甚至损坏对电压敏感的器件，瞬态响应测试不仅从应用层面评估此项性能，也能从生产层面揭示造成不稳定的关键性缺陷，比如输出电容的ESR，ESL 及容量、反馈环响应时间及相位裕量、系统瞬态最大输出电流等核心信息。
1.2.1.瞬态响应的过程分析
电压过冲与跌落的原理基本一致，为讨论方便，我们只讨论如右图所示的，电流上升引发振铃电压的过程。
- 当电流按电流上升率Rate爬升后，由于输出线路感抗及电容ESL的影响，输出电压将与电流爬升波形同步跌落至VESL，形成电压波形的第一个波谷。
- 当电流稳定之后，由于输出线路的直流阻抗及电容ESR，电压将恢复到一个低值VESR，形成第一个台阶。
RESR≈ (Va- VESR) /（Ib-Ia）
VESL ≈ Va –（LESL*Rate + （Ib-Ia）* RESR）
LESL ≈ (VESR -VESL) /Rate
- 在此期间，电源反馈环处于失调状态，负载拉载电流对输出电容(容值COUT)进行持续放电，此放电时间（TD）即为电源反馈环响应时间，直到电源反馈环开始建立，于是，就形成了电压波形的第二个谷值VC。
COUT ≈ TD*Ib / (Va - VC)
VC ≈ Va - Ib * TD / COUT
- 当电压从第二个谷值开始爬升时，便是电源以系统最大电流（ISYS）对输出电容进行充电的时刻，此充电过程一直持续到第一个峰值Vd，而充电持续时间为TC，结合前一个充电过程，可知：
(VESR - VC) *TD/Ib ≈ (Vd - VC) *TC/( ISYS -Ib)
ISYS ≈ Ib * [(Vd - VC) / (VESR - VC) * TC/TD + 1]
- 此后，电压波形将呈现阻尼振荡状态，而振荡周期数n越小，便说明电源环路的相位裕量越大，品质越优越。
1.2.2. 瞬态响应测试的基本要求
a) 满量程电流爬升时间
由公式VESL ≈ Va –（LESL*Rate + （Ib-Ia）* RESR）可知，电流变化量越显著，电流上升率越高，则电压过冲或跌落的幅度就越明显，测量也就越精确；另外，输出电容充放电过程与感抗对电流变化的响应过程，交织在一起，为将交叉影响减至最低，就要求电流跃变时间越短越好，至少要比被测电源反馈环响应时间快5倍以上。所以瞬态响应测试，对电子负载的速度要求极高，电子负载的速度指标一般用最快满量程电流上升时间来表达，JT631系列电子负载的这一指标为10uS。有人也用电流上升率上限也描述负载的速度，因“电流上升率上限 = 额定电流 / 最快满量程电流上升时间”，所以这一指标在不同额定电流机型之间，不具备可比性。
b) 可编程电流变化率
也正因为电流变化量对瞬态测试的影响极大，为具备测量的客观性，就必须在同样的电流上升率下测试，因此电流变化率的可编程能力就必不可少。
c) 负载D/A调整频率
感抗器件对电流变化过程响应，要求电流平稳连续变化，而负载的电流变化都是通过D/A的数字化处理实现的，因此D/A调整频率直接决定电流波形的平滑程度，影响测量的精度，JT631系列电子负载的D/A调整频率为500KHz。
d) 负载的瞬态数据量测
JT631系列电子负载，创新的支持瞬态数据的初步分析，提供峰值（Vp+）及谷值（Vp-）的测量与实时显示，当设置的电流上升率很高，或ESL非常大时，ESL的影响量超过输出电容充放电的影响量，则Vp+为ESL形成的第一个波峰电平，Vp-为ESL形成的第一个波谷电平（VESL）；反之，若设置的电流上升率很低，输出电容很小时，输出电容充放电影响超过ESL的影响，则Vp+为输出电容充电形成的第二个波峰，Vp-为输出电容放电形成的第二个波谷（VC）；
如果是前一种情况，则Vp+、Vp-量测值直接反应输出电容的ESL及ESR是否存在不良；如果是后一种情况，则Vp+、Vp-量测值直接反应输出电容的容值是否存在不良，也或者电源的反馈环响应时间是否存在不良。
用户也可以测试先用最高电流变化率去检测ESL及ESR的品质，再较低的电流变化率去检测电容容量及电源反馈环时间的品质。
- 其他注意事项
使负载电流变化尽量接近电源额定电流，可以显著提高测量精度，同时要注意瞬态测试的扫描频率不宜太高，以防止电容充放电过程不能达到稳态，而影响测试的准确性。JT631系列电子负载提供创新的变频动态扫描功能（Sweep），帮助用户捕捉最恶劣状况下的扫描频率，并同步捕捉此扫描频率点的电压峰值及谷值。
瞬态响应测试过程中，连接线不仅存在阻抗，而且存在较大的感抗，因此其影响量非常显著，为补偿连接线的影响，建议用户使能电子负载的远端补偿功能。